1. You are Here：

浏览 的方式： 作者 赵天生

跳到： 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
或是输入前几个字：  
显示 1 到 20 笔资料，总共 114 笔  下一页 >
公开日期标题作者
2005n型通道与p型通道完全镍自我对准矽化源/汲与闸极复晶矽薄膜电晶体之研究黃彥學; Yan-Syue Huang; 趙天生; Tien-Sheng Chao; 電子物理系所
2004Study on the reliability of pMOSFETs with different nitrogen and fluorine implantation dosages于慶潭; Ging-Tan Yu; 趙天生; Tien-Sheng Chao; 電子物理系所
2004一种具有奈米线通道的新颖多晶矽薄膜电晶体制作与特性之研究林賢達; 趙天生; 電子物理系所
2002一种新颖绝缘层上矽动态起启电压金氧半元件趙天生; TIEN-SHENGCHAO; 交通大學電子物理系
2006不同高介电常数与传统低温介电层应用于低温复晶矽薄膜电晶体之比较呂宜憲; Yi-Hsien Lu; 趙天生; 簡昭欣; Dr. Tien-Sheng Chao; Dr. Chao-Hsin Chien; 電子物理系所
2011以双闸极多晶矽薄膜电晶体作为酸硷感测器之研究唐明慈; Tang, Ming-Tsyr; 趙天生; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所
2015低功率低温多晶矽电晶体之研究陳昱璇; 趙天生; Chen, Yi-Hsuan; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所
2011低温微波退火应用之研究呂侑倫; Lu, Yu-Lun; 趙天生; 李耀仁; Chao, Tien-Sheng; Lee, Yao-Jen; 電子物理系所
2016侧壁镶嵌三闸极多晶矽鳍式电晶体应变效应之研究王泓翔; 趙天生; Wang, Hung-Hsiang; Chao, Tien-Sheng; 理學院應用科技學程
2000先进深次微米金氧半场效电晶体基极与闸极工程之研究張勝傑; Sun-Jay Chang; 張俊彥; 趙天生; Chun-Yen chang; Tien-Sheng Chao; 電子研究所
2007先进金氧半场效电晶体闸极工程对改善元件特性及可靠度之研究羅文政; Wen-Cheng Lo; 張俊彥; 趙天生; Chun-Yen Chang; Tien-Sheng Chao; 電子研究所
2010内嵌矽奈米点之SONOS记忆体元件趙天生; CHAO TIEN-SHENG; 國立交通大學電子物理學系（所）
2009内嵌矽奈米点之SONOS记忆体元件趙天生; CHAO TIEN-SHENG; 國立交通大學電子物理學系(所)
2008内嵌矽奈米点之SONOS记忆体元件趙天生; CHAO TIEN-SHENG; 國立交通大學電子物理學系(所)
2009具不同应力及高介电层金氧半场效电晶体之可靠度研究李時璟; Lee, Shih-Ching; 趙天生; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所
2012具不同通道结构薄膜电晶体 SONOS记忆体之研究楊卓俐; Yang, Juo-Li; 趙天生; Chao, Tien-Shang; 電子物理系所
2007具分离控制闸之隐藏式选择性SONOS NAND记忆体元件之研究王冠迪; Kuan-Ti Wang; 趙天生; Tien-Sheng Chao; 電子物理系所
2013具抬升式多晶矽奈米線穿隧式薄膜電晶體之研究方柏崴; Fong, Po-Wei; 趙天生; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所
2016具新應力記憶技術之金氧半場效電晶體TCAD模擬綜合研究李沛諺; 趙天生; Li, Pei-Yan; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所
2008具新穎應力記憶技術之金氧半場效電晶體黃士安; Huang, Shih-An; 趙天生; Chao, Tien-Sheng; 電子物理系所
显示 1 到 20 笔资料，总共 114 笔  下一页 >