浏览 的方式： 作者 连亦中
显示 1 到 3 笔资料，总共 3 笔
| 公开日期 | 标题 | 作者 |
|---|---|---|
| 16-六月-2008 | 一种形成半导体深次微米线宽结构的方法 | 陈仕鸿; 连亦中; 张翼 |
| 1-一月-2010 | 一种形成半导体深次微米线宽结构的方法 | 陈仕鸿; 连亦中; 张翼 |
| 2006 | 高频应用之砷化铟铝/砷化铟镓变异结构高电子移动率电晶体之研究 | 连亦中; Yi-Chung Lien; 张翼; Edward Yi Chang; 材料科学与工程学系 |
| 公开日期 | 标题 | 作者 |
|---|---|---|
| 16-六月-2008 | 一种形成半导体深次微米线宽结构的方法 | 陈仕鸿; 连亦中; 张翼 |
| 1-一月-2010 | 一种形成半导体深次微米线宽结构的方法 | 陈仕鸿; 连亦中; 张翼 |
| 2006 | 高频应用之砷化铟铝/砷化铟镓变异结构高电子移动率电晶体之研究 | 连亦中; Yi-Chung Lien; 张翼; Edward Yi Chang; 材料科学与工程学系 |