瀏覽 的方式： 作者 Chung, Shao-Shiun
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| 公開日期 | 標題 | 作者 |
| 2015 | 互補式面穿隧場效電晶體之結構設計與低功耗電路應用探討 | 趙堉斌; Zhao, Yu-Bin; 莊紹勳; Chung, Shao-Shiun; 電子工程學系 電子研究所 |
| 2015 | 淺溝渠隔離氧化層對三維閘極電晶體的可靠性影響 | 吳嘉偉; Wu, Chia-Wei; 莊紹勳; Chung, Shao-Shiun; 電子工程學系 電子研究所 |
| 2013 | 由實驗方法分析三維金氧半電晶體的彈道傳輸特性 | 林宗慶; Lin, Tsung-Ching; 莊紹勳; Chung, Shao-Shiun; 電子工程學系 電子研究所 |
| 2015 | 運用介電層熔斷崩潰機制設計新穎的單次寫入唯讀記憶體 | 黃智宏; Huang, Zhi-Hong; 莊紹勳; Chung, Shao-Shiun; 電子工程學系 電子研究所 |
| 2015 | 雙介電層低功耗電阻式記憶體之設計與最佳化 | 楊勝博; Yang, Shang-Po; 莊紹勳; 汪大暉; Chung, Shao-Shiun; Wang, Tahui; 電子工程學系 電子研究所 |
| 2015 | 高介電層金屬閘極CMOS電晶體功函數與臨界電壓變異之關聯性探討 | 王元鼎; Wang, Yuan-Ding; 莊紹勳; 汪大暉; Chung, Shao-Shiun; Wang, Ta-Hui; 電子工程學系 電子研究所 |
