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公開日期標題作者
1996分裂閘極式可抹除編寫記憶晶胞之編寫能力特性研究楊理揚; YANG, LI-YANG; 雷添福; Dr. Tan-Fu Lei; 電子研究所
1999利用 N2O 與 N2 氣體快速加熱氮化於 PECVD TEOS閘極氧化層及複晶矽氧化層之研究朱浚學; Juing-Shae Chu; 雷添福; 李崇仁; Dr. Tan-Fu Lei; Dr. Chung-Len Lee; 電子研究所
1999利用氟和/或氮離子佈植於矽化鈷堆疊閘極氧化層之特性研究郭立民; Lim-Min Guo; 雷添福; 楊賜麟; Dr. Tan-Fu Lei; Dr. Su-Lin Yang; 電子物理系所
2001四氟化碳電漿處理改善閘極絕緣層特性在MOS元件之研究陳筱薇; Hsiao-Wei Chen; 雷添福; Dr. Tan-Fu Lei; 電子研究所
2001氨氣預處理及不同後續退火技術改善銫金屬氧化層之研究洪燕萍; Yen-ping Hung; 雷添福; Dr. Tan-Fu Lei; 電子研究所
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