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| 公開日期 | 標題 | 作者 |
| 1-八月-2005 | Temperature-dependent photoluminescence of highly strained InGaAsN/GaAs quantum wells (lambda=1.28-1.45 mu m) with GaAsP strain-compensated layers | Lai, FI; Kuo, HC; Chang, YH; Tsai, MY; Chu, CP; Kuo, SY; Wang, SC; Tansu, N; Yeh, JY; Mawst, LJ; 光電工程學系; Department of Photonics |
