| 标题: | 近红外波段飞秒雷射在非晶矽退火的应用方法 |
| 作者: | 谢嘉民 陈尊豪 戴宝通 王怡超 潘犀灵 |
| 公开日期: | 16-六月-2006 |
| 摘要: | 本发明提供一种近红外波段飞秒雷射在非晶矽退火的应用方法，其系利用红外波段的超快钛蓝宝石雷射(Ultrafast Ti：Sapphire Laser)进行非晶矽的飞秒雷射退火(Femtosecond Laser Annealing, FLA)，样品表面被超短脉冲照射的时候，超高的瞬时功率使得样品表面发生对光子能量的非线性吸收并产生高密度的电浆，使得非晶矽达到融熔状态。飞秒雷射退火藉由连续扫瞄的帮助可以将非晶矽再结晶成多晶矽，所得到的晶粒尺寸约可达0.8μm，再结晶过程所需要的雷射能量密度仅约45mJ／cm^2。因此本发明提供一种近红外波段飞秒雷射在非晶矽退火的应用，可得到晶粒尺寸大的多晶矽，较佳之表面平整度，再结晶过程所需雷射能量密度低，可增进制程效率及电晶体的载子迁移率。 |
| 官方说明文件#: | H01L021/00 H01L021/00 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/104181 |
| 专利国: | TWN |
| 专利号码: | 200620389 |
| 显示于类别： | Patents |
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