完整后设资料纪录
| DC 栏位 | 值 | 语言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 许钲宗 | en_US |
| dc.contributor.author | 陈振嘉 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2014-12-16T06:13:42Z | - |
| dc.date.available | 2014-12-16T06:13:42Z | - |
| dc.date.issued | 2014-01-21 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | G01N033/50 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/104265 | - |
| dc.description.abstract | 本发明系揭露一种结合矽奈米线闸极二极体之感测元件、制造方法及其检测系统。此感测元件包含一矽奈米线闸极二极体、一顿化层以及一微流道。顿化层包覆此矽奈米线萧特基二极体且具有一经修饰之表面，微流道与顿化层接合。当一待测样品透过该微流道接触此经修饰之表面时，矽奈米线闸极二极体系相对应地产生一电性讯号，如电流值、电阻值或电导值变化，藉此此电性讯号之变化以检测待测样品之存在。 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 结合矽奈米线闸极二极体之感测元件、制造方法及其检测系统 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | I424160 | zh_TW |
| 显示于类别： | Patents | |
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