具有漸變含量之電洞穿隧層之發光元件

Abstract

一種具有漸變含量之電洞穿隧層之發光元件，包含：基板；n-型半導體層，設置在基板上，n-型半導體層具有第一部份及第二部份；具有漸變含量之電洞穿隧層，設置在n-型半導體層之第一部份上；電子阻擋層，設置在具有漸變含量之電洞穿隧層上；p-型半導體層，設置在電子阻擋層上；第一電極，設置在p-型半導體層上；以及第二電極，設置在n-型半導體層之第二部份上且與n-型導體層之第一部份上之結構電性分離，且第二電極與第一電極之電性相反，藉由具有漸變含量之電洞穿隧層做為多重量子井層，在寬能隙發光元件中，提高電洞傳遞效率，進一步的提高發光效率。