Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 陳智 | en_US |
| dc.contributor.author | 劉健民 | en_US |
| dc.contributor.author | 曾院介 | en_US |
| dc.date.accessioned | 2015-05-12T02:59:59Z | - |
| dc.date.available | 2015-05-12T02:59:59Z | - |
| dc.date.issued | 2015-02-01 | en_US |
| dc.identifier.govdoc | H01L031/07 | zh_TW |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/11536/122919 | - |
| dc.description.abstract | 本發明係有關於一種光感測元件及其製備方法，本發明之光感測元件具有極大蕭特基接面且其包括：一第一導電層；複數金屬奈米線，該每一金屬奈米線之一端係與該第一導電層連接，且該每一金屬奈米線之表面係覆有一半導體層，該半導體層之厚度係為1nm-20nm；以及一第二導電層，係對應該第一導電層而配置，該複數金屬奈米線係配置於該第一導電層與該第二導電層之間，且該第二導電層與該複數金屬奈米線表面之半導體層接觸；其中，該光感測元件係用於感測波長10nm-400nm之紫外光。 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh_TW | en_US |
| dc.title | 光感測元件及其製備方法 | zh_TW |
| dc.type | Patents | en_US |
| dc.citation.patentcountry | TWN | zh_TW |
| dc.citation.patentnumber | I472048 | zh_TW |
| Appears in Collections: | Patents | |
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