低功耗高密度與低成本非晶態氧化物半導體式電阻式記憶體技術之研究

标题:	低功耗高密度与低成本非晶态氧化物半导体式电阻式记忆体技术之研究 Investigation of Low-Power High-Density and Low-Cost Amorphous Oxide Semiconductors-based Resistive Random Access Memory Technology
作者:	范扬顺 Yang-Shun Fan 刘柏村 Po-Tsun Liu 光电工程研究所
关键字:	非晶态氧化物半导体;电阻式记忆体;薄膜电晶体;萧基二极体;非线性电阻记忆体;垂直式电阻记忆体;TAOS;RRAM;TFT;Schottky diode;SRC;VRRAM
公开日期:	2015
URI:	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT079824536 http://hdl.handle.net/11536/127331
显示于类别：	Thesis

APA	范., Yang-Shun F., 刘., & Po-Tsun L. (2015). 低功耗高密度与低成本非晶态氧化物半导体式电阻式记忆体技术之研究. http://hdl.handle.net/11536/127331.
Bibtex	@article{2015, title={低功耗高密度与低成本非晶态氧化物半导体式电阻式记忆体技术之研究}, author={范扬顺 and Yang-Shun Fan and 刘柏村 and Po-Tsun Liu}, journal={http://hdl.handle.net/11536/127331}, year={2015}, url={http://140.113.37.243/handle/11536/127331?locale=zh_CN&mode=fulllocale%3Dzh_CNlocale%3Den}, }