統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| AlN Surface Passivation of GaN-Based High Electron Mobility Transistors by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition | 25 |
本月總瀏覽
| 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | 一月 2026 | 二月 2026 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AlN Surface Passivation of GaN-Based High Electron Mobility Transistors by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition | 0 | 0 | 3 | 0 | 1 | 19 | 0 |
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| 26457d3bdcdb2dc93ecb6bd55bc928a6.pdf | 2 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 越南 | 19 |
| 加拿大 | 3 |
| 巴西 | 1 |
| 美國 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Hanoi | 17 |
| Ottawa | 3 |
| Dung | 1 |
| Ninh Bình | 1 |
| Pelotas | 1 |
| Sacramento | 1 |