矽烷氧化層與複晶矽層之化學汽相沈積膜之研究

Abstract

在先進之積體電路製程中，化學汽相沈積已成為最重要的技術項目之一，特別是在超 大型積體電路（VLSI）之微細元件之製程中更顯得迫切。 本文作有關帶傳化學汽相沈積氧化矽膜之研究，建立下述之經驗關係式，即（氧化矽 膜厚度）（帶傳速率）?n=K，其中n 與K 為經驗常數。有關帶傳速率，氧－對－矽烷 比例，及氣體流量等因素對沈積厚膜度之效應並加以討論。 此外，為瞭解傳統方法製造之複晶矽電阻之電特性，本文製造摻雜硼與磷之複晶電阻 並詳細地加以電特性測量。 本文並對摻雜硼濃度１×１０□□cm□□變化到１×１０□□cm□□之低壓化學汽相 沈積膜（LPCVD ），厚度從１．２微米到０．１微米，探討其厚度對電特性之影響。 本文又對有關以離子植入技術將磷與硼兩雜質滲入複晶矽膜之磷－硼n-p 中和反應加 以研究。去活化是製造這種具∼有１０ 歐姆一厘米高阻係數之電阻的主要步驟。本 文因此建立了微細之２微米高阻值複晶矽電阻之製造過程。