完整後設資料紀錄
DC 欄位語言
dc.contributor.author曾震宇en_US
dc.contributor.authorZENG,ZHEN-YUen_US
dc.contributor.author謝正雄en_US
dc.contributor.authorXIE,ZHENG-XIONGen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T02:08:14Z-
dc.date.available2014-12-12T02:08:14Z-
dc.date.issued1990en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT792124036en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/55227-
dc.description.abstract本篇報告描述新的MOS 開關結構(雙閘)與其在焦聚面陣列影像偵測器和讀出電路上 的一些應用。所有模擬用雙閘皆是利用二或三個MOS 電晶體串接而成, 而與單閘的比 較結果是我們評以好壞的標準。文中並對焦聚面陣列的讀出電路分析,包括時序問題 與重覆相關取樣,CDS 。據模擬結果, 得到如下結論: (1) 雙閘在時脈注入雜訊, 漏 電流方面比單閘好, 電阻與熱雜訊則較差。(2) 焦聚面陣列或讀出電路中用雙閘, 配 合讀出電路的CDS 功能, 可使結果更好。(3) 雙閘使TSL 陣列的橫向串音降低。zh_TW
dc.language.isozh_TWen_US
dc.subject雙閘極MOS元件zh_TW
dc.subject陳列影像感光元件zh_TW
dc.subjectMOS開關結構zh_TW
dc.subject焦聚面zh_TW
dc.subjectMOS電晶體zh_TW
dc.subjectCDS功能zh_TW
dc.subjectTSL陳列zh_TW
dc.subject時脈zh_TW
dc.title雙閘極MOS元件在陳列影像感光元件上之應用zh_TW
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department光電工程學系zh_TW
顯示於類別:畢業論文