在複晶矽上成長氧化層特性之研究

Abstract

在可抹除可規化唯讀記憶元件中，經常使用雙層複晶矽電容的結構，為了評估複晶 矽上成長的氧化層之電性及可靠性，我們製備了厚度100 埃到500 埃的電容，並在 底部複晶矽上使用了不同濃度及不同的成長溫度來成長，經由電性分析，我們發現 其介電質強度、漏電流及載子捕獲，隨不同濃度、厚度及溫度而有不同的變化。實 驗結果顯示，一個採用高濃度、高成長溫度的氧化層，可提供最佳的電特性，對於 這些現象，我們嘗試從底部複晶矽的平坦程度及能階變化來解釋。