标题: CMOS横向杂散双极性电晶体在能隙参考电位线路中之特性分析,模拟以及设计制作
Design, simulation and characterization of a bandgap reference circuit using parasitic lateral bipolar transistors in a CMOS technology
作者: 黄林祥
Huang, Lin-Xiang
汪大晖
Wang, Dai-Hui
电子研究所
关键字: CMOS横向;电晶体;电位线路;电子工程;能隙参考电位线路;横向杂散双极性电晶体.;ELECTRONIC-ENGINEERING;Bandgap Reference Circuit;Parasitic Lateral Bipolar Transistor
公开日期: 1993
摘要: 近来CMOS制程中之横向杂散双极性电晶体已被应用在一些数位与线性整合性的线路
中,它之所以被接受与应用,乃在于其较低的制造成本以及较成熟之制造技术,本
篇论文中,我们尝试以CMOS中之横向杂散双极性电晶体应用在能隙参考电位线路中
,所有的实验均是在0.8um CMOS制程下所完成的,在完整的实验线路中,包含了镜
像电流反映器,操作型放大器,以及外部缓冲级等。对于这样的一线路将可以被广
泛的应用在数位对线性的转换器中,然而此一线路最值得注意的地方,乃在于其对
温度的稳定性上。在横向双极性电晶体的设计上,我们亦做了相当的努力,以便使
此一电晶体能得到较大的输出电流。实验中我们所能达到的hfe 接近30左右。
为了能精准的以SPICE 模拟线路的输出,横向双极性电晶体的模型以及其各项的参
数均是必须的,此项工作我们以现成的套装软体AURORA来完成参数萃取的工作,由
萃取出之参数所构成的电晶体模型与实际元件比较中,我们发现在主动区域,模型
与实际元件可有完美一致的表现。但在饱和区域却有较大的出入,此一原因将归因
于此一横向电晶体元件在CMOS制程中是与一纵向电晶体并存而生的,并将影响此一
元件在饱和区域中之表现,在线路输出模拟上,我们将线路设计在70℃时对温度有
最小的变异性,而实际线路中所测量的结果,则是在90℃时对温度有最小的变异性
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT824430007
http://hdl.handle.net/11536/58660
显示于类别:Thesis