标题: 利用单电荷释放现象研究P型氧化层场效电晶体之加温加压回复效应与机制
Investigation of NBTI Effect in Oxide pMOSFET from Single Charge Emission
作者: 李冠成
汪大晖
电子研究所
关键字: 负电压;加温;暂态回覆电流;单电荷释放;热辅助式穿遂;NBTI;recovery;single charge de-trapping;thermally-assisted tunneling
公开日期: 2005
摘要: 本篇论文提供以一种新的量测技巧来进行Negative Bias and Temperature Instability (NBTI) 的研究。并且提出一种合理的机制-单电荷的捕捉和释放现象-来解释P型氧化层场效电晶体小面积元件下的NBTI效应;以此为基础,可以求得闸极氧化层的缺陷密度,并解释大面积元件下的NBTI暂态电流的回复现象。此外,我们也研究了单电荷在不同通道长度下的影响力,指出其对未来元件的重大冲击。
在第二章中,我们比较了旧型和新型的量测系统,并指出造成旧型量测系统时间延迟的来源,说明了旧型量测技巧会造成大量的误差。在第三章中,我们首先回顾了NBTI的历史以及现有的理论架构。藉由对不同大小面积元件进行NBTI-Stress,我们发现了截然不同的现象,以及对闸极电压、温度的实验,我们提出了我们的模型。以此模型,我们可以求得闸其氧化层的缺陷密度,并能还不错得模拟大面积元件下NBTI的暂态回复电流。在第四章中,我们研究了在不同通道长度下单电荷所造成的电流差值,并配合Random Telegraph Signal (RTS)的实验,指出其对次世代元件的重大影响。
URI: http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009311514
http://hdl.handle.net/11536/77986
显示于类别:Thesis


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