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dc.contributor.author曹人傑en_US
dc.contributor.authorJen-Chieh Tsaoen_US
dc.contributor.author羅正忠en_US
dc.contributor.author邱碧秀en_US
dc.contributor.authorJen-Chung Louen_US
dc.contributor.authorBi-shiou Chiouen_US
dc.date.accessioned2014-12-12T03:02:31Z-
dc.date.available2014-12-12T03:02:31Z-
dc.date.issued2006en_US
dc.identifier.urihttp://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#GT009411558en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11536/80472-
dc.description.abstract我們發現當一條暗線獨自被曝光時會有較差的結果,可是當這條暗線是被兩條細的亮線所包圍時,經由適當的曝光條件,我們能夠得到一條極佳的暗線,而這條暗線的寬度能小於100nm,此外,藉由這個曝光方式,我們只需要使用二元光罩即可得到擁有如此良好寬度的暗線。 不過使用上述的方式所得到的暗線,在相鄰的兩條細暗線間,會得到一條不想得到的粗暗線,因此,我們必須另外增加一道曝光過程將此不希望出現的粗暗線給清除掉,所以總共需要兩次曝光,而爲了能夠減少曝光的次數,我們將原本會產生粗暗線的部份改成部分透光但像位不變的光罩,而藉由這樣的改變我們能提升此處的光強,所以使得原本不曝光的部分變成曝光,因此只需ㄧ次曝光即可得到想要的細線。 最後,我們使用ㄧ群適當週期排列的細線,此細線的寬度小於曝光的極限因而不會被顯現出來,接著再適度調整週期,藉由暗線和亮線所佔面積的不同來得到想要的穿透量,再將這群週期排列的暗線取代先前所提不曝光的區域,藉此得到只需使用ㄧ次曝光和二元光罩即可得到良好細線的方法。zh_TW
dc.language.isoen_USen_US
dc.subject一次曝光zh_TW
dc.subjectsingle expoaureen_US
dc.title使用ㄧ次曝光和二元光罩來產生擁有良好聚焦 深度的細線之模擬與研究zh_TW
dc.titleThe Study and Simulation of the Line Pattern having large Depth of Focus by using only Single Exposure and Binary Masken_US
dc.typeThesisen_US
dc.contributor.department電子研究所zh_TW
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