三五族氮化合物半導體薄膜之物理特性---子計畫二：GaN類半導體材料及物理結構之光性研究(I)

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DC 栏位	值	语言
dc.contributor.author	陈卫国	en_US
dc.contributor.author	WEI-KUOCHEN	en_US
dc.date.accessioned	2014-12-13T10:38:59Z	-
dc.date.available	2014-12-13T10:38:59Z	-
dc.date.issued	1996	en_US
dc.identifier.govdoc	NSC85-2112-M009-047	zh_TW
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/11536/95936	-
dc.identifier.uri	https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=223293&docId=40032	en_US
dc.description.sponsorship	行政院国家科学委员会	zh_TW
dc.language.iso	zh_TW	en_US
dc.title	三五族氮化合物半导体薄膜之物理特性---子计画二：GaN类半导体材料及物理结构之光性研究(I)	zh_TW
dc.title	Physical Property Studies of III-V Semiconductor Nitride Films---Optical Property Studies of GaN-Based Semiconductor Materials and Structures (I)	en_US
dc.type	Plan	en_US
dc.contributor.department	国立交通大学电子物理学系	zh_TW
显示于类别：	Research Plans

APA	陈., & W. (1996). 三五族氮化合物半导体薄膜之物理特性---子计画二：GaN类半导体材料及物理结构之光性研究(I). https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=223293&docId=40032.
Bibtex	@article{1996, title={三五族氮化合物半导体薄膜之物理特性---子计画二：GaN类半导体材料及物理结构之光性研究(I)}, author={陈卫国 and WEI-KUOCHEN}, journal={https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=223293&docId=40032}, year={1996}, url={http://140.113.37.243/handle/11536/95936?locale=zh_CN&mode=full}, }