磷化銦面射型雷射相關問題研究

Abstract

InP材料是長程光纖通信最重要的光電半導體材 料.InP面射型雷射更由於其具有製造過程的簡易, 單模操作的特性,高光纖耦合效率,高速迅號調制 的優點,咸信將會取代傳統邊射型雷射,逐漸在一 般通訊系統及光電設備佔有一席之地.除此之外, InP面射型雷射因InP基座材料可以完全透光( TransparentSubstrate),相當低的表面復合速率(Surface Recombination Velocity),適用於平面化面射型雷射的設 計以及未來大型光電積體電路化的需求.目前InP面射型雷射的研究大都採用InGaAsP/InP為主 要材料由於其鏡厚過厚(.sim. 10 □m),串聯電阻過 高(.sim. k .OMEGA. ,阻礙了其進一步的發展.本計畫 擬採用AlAs/sub 0.52/ Sb/sub 0.48/ /In/sub0.53/ Ga/sub 0.47 / As為雷射反射鏡,其不僅鏡厚較薄(.sim. 3□m),更 因其具有相當低的電洞能障( EV .apprxeq. 0.11eV),可 以有效提升幾近10,000倍熱射電流,大幅降低串聯 電阻至數歐姆的理想數值.使得InP面射型雷射進 入具體可行的階段.所以計畫初期研究的目標將 擺在降低串聯電阻的相關研究.