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馬哲申

馬哲申 Maa, Jer-Shen

電子郵件／E-mail：JERSHEN_MAA@YAHOO.COM

服務單位／Department：光電學院 ／ 照明與能源光電研究所

著作期間／Publish Period：2007-11-26 - 2014-05-01

著作統計／Statistics

Article（7）
Proceedings Paper（1）
Thesis（28）

Article

序號
No.		 標題
Title		 著作日期
Date
1 Material growth and device characterization of AlGaN/GaN single-heterostructure and AlGaN/GaN/AlGaN double-heterostructure field effect transistors on Si substrates
 2014-05-01
2 Low resistance copper-based ohmic contact for AlGaN/GaN high electron mobility transistors
 2013-10-07
3 Effect of Graded AlxGa1-xN Layers on the Properties of GaN Grown on Patterned Si Substrates
 2012-02-01
4 Dislocation reduction in GaN film using Ga-lean GaN buffer layer and migration enhanced epitaxy
 2011-07-29
5 High quality Ge thin film grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition on GaAs substrate
 2011-04-18
6 MOVPE high quality GaN film grown on Si (111) substrates using a multilayer AlN buffer
 2008-01-01
7 Growth of GaN film on 150 mm Si (111) using multilayer AlN/AlGaN buffer by metal-organic vapor phase epitaxy method
 2007-11-26

Proceedings Paper

序號
No.		 標題
Title		 著作日期
Date
1 Effect of Graded AlxGa1-xN Interlayer Buffer on the Strain of GaN Grown on Si (111) Using MOCVD Method 2008-01-01

Thesis

序號
No.		 標題
Title		 著作日期
Date
1 利用場效電板改善氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體高功率元件特性與可靠性之研究 2014
2 以氧化鑭/氧化鉿堆疊式氧化層作為高功率氮化鎵高電子遷移率電晶體之閘極氧化層研究 2014
3 1奈米等效厚度之氧化鑭與氧化鉿複合氧化物材料在砷化銦鎵金氧半元件之研究 2014
4 利用複合式奈米球微影術製作對可見光具高穿透結構之研究 2013
5 磷化銦鎵/砷化銦鎵/鍺三接面聚光型太陽能電池之全銅金屬製程之研究 2013
6 Reducing Leakage Current and Suppressing Current Slump of Si3N4 AlGaN/GaN MISHEMTs by Insertion of AlN Interfacial Passivation Layer 2013
7 磊晶成長高阻值氮化鎵緩衝層在矽(111)基板 2013
8 假型高電子遷移率場效電晶體之模擬研究 2013
9 利用氧化鋁/氧化氮堆疊當介電層的方式製作出可改善起始電壓穩定性的增強型氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體 2013
10 離子束配向及光配向技術在大尺寸TFT-LCD之未來發展性研究 2013
11 利用有機化學氣相沉積法和非線性漸變緩衝層成長砷化銦鎵在砷化鎵基板上以及錯位應變和緩衝平台之研究 2013
12 利用漸變氮化矽結合次波長結構應用在三五族三接面太陽能電池上之全波段抗反射層研究 2013
13 探討砷化銦鋁/砷化銦/砷化銦鎵系統之磷化銦高電子遷移率電晶體之模擬研究 2013
14 多晶矽控制表面絨化以降低黑絲絨 2013
15 探討低溫氮化鋁鎵插入層對成長厚氮化鎵在矽基板上之影響 2012
16 雙異質接面假晶 磷化銦/砷化鎵銦/磷化銦P通道量子井場效電晶體對三五族互補電路的研究與應用 2012
17 The Study of High-k Composite Dielectric for InGaAs MOS Device Applications 2012
18 以熱裂解化學沉積法成長碳化矽薄膜之研究 2012
19 成長磷化銦鎵材料於砷化鎵及鍺/矽基板上對三五族太陽能電池應用之研究 2012
20 利用有機金屬化學氣相沉積成長高功率氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體結構於藍寶石基板 2012
21 以傾斜型閘極改善氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之崩潰電壓及可靠性 2012
22 氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體無金金屬化製程之研究 2012
23 以有機金屬化學氣相沉積成長氮化銦鋁/氮化鋁/氮化鎵異質結構之高電子遷移率電晶體的應用 2012
24 在玻璃基板上製備摻鎵氧化鋅薄膜之表面形貌及光電性質的研究 2012
25 在矽基板上成長低溫鍺以及微米圖形以做為高品質砷化鎵薄膜之磊晶模板 2012
26 氮化鎵元件之歐姆與蕭基接觸的銅製程材料研究 2011
27 氮化鎵高電子遷移率電晶體之銅金屬化導線製程
 2011
28 藉由兩階段矽鍺緩衝層以成長鍺磊晶層於矽基板上之研究
 2011
光電學院