标题: 具有结构强度较强的鳍之鳍式场效电晶体半导体装置
作者: 简昭欣
周承翰
钟政庭
潘正圣
公开日期: 16-十月-2016
摘要: 一半导体装置包含至少一鳍。该鳍设置于一半导体基板的一表面上。该鳍包含沿着一第一方向延伸的一主要部分,以及至少一次要部分,其沿着一第二方向自该主要部分向外延伸,该第一方向与第二方向并非同一直线。
官方说明文件#: H01L029/41
URI: http://hdl.handle.net/11536/132319
专利国: TWN
专利号码: 201637199
显示于类别:Patents


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