以電泳法沉積奈米碳管的電阻式記憶體之轉態特性研究

标题:	以电泳法沉积奈米碳管的电阻式记忆体之转态特性研究 Investigation on Switching Characteristics of CNT Fabric RRAM Deposited by Electrophoretic Deposition
作者:	林千咏曾俊元 Lin, Chien-Yung Tseng, Tseung-Yuen 电子工程学系电子研究所
关键字:	奈米碳管;电阻式记忆体;电泳法;carbon nanotubes;resistive random access memory;electrophoretic deposition
公开日期:	2016
URI:	http://etd.lib.nctu.edu.tw/cdrfb3/record/nctu/#GT070350123 http://hdl.handle.net/11536/138878
显示于类别：	Thesis

APA	林., 曾., Lin, C., & Tseng, T. (2016). 以电泳法沉积奈米碳管的电阻式记忆体之转态特性研究. http://hdl.handle.net/11536/138878.
Bibtex	@article{林千咏 and 曾俊元 and Lin2016, title={以电泳法沉积奈米碳管的电阻式记忆体之转态特性研究}, author={林千咏 and 曾俊元 and Lin, Chien-Yung and Tseng, Tseung-Yuen}, journal={http://hdl.handle.net/11536/138878}, year={2016}, url={http://140.113.37.243/handle/11536/138878?locale=zh_CN}, }