| 标题: | 半导体装置的制造方法 |
| 作者: | 侯拓宏 潘正圣 刘邦轩 |
| 公开日期: | 1-七月-2018 |
| 摘要: | 一种包含场效电晶体装置的半导体装置，包含基板与在基板上的二维材料所制成的通道结构。多个源极与汲极接触部分地形成于二维材料上。第一介电层至少部分地形成在通道结构上且至少部分地形成在源极与汲极接触上。第一介电层用以捕获多个电荷载子。第二介电层形成于第一介电层上，且闸极电极形成于第二介电层上。 |
| 官方说明文件#: | H01L021/28 |
| URI: | http://hdl.handle.net/11536/151476 |
| 专利国: | TWN |
| 专利号码: | 201824375 |
| 显示于类别： | Patents |
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