具有雙 攙雜通道的假晶砷化鋁鎵/砷化銦鎵功率高電子遷移率電晶體之研究

標題:	具有雙攙雜通道的假晶砷化鋁鎵/砷化銦鎵功率高電子遷移率電晶體之研究 The study of pseudomorphic AlGaAs/InGaAs power HEMT with dual -doped channels
作者:	陳祖光 Chen, Zu Guang 張翼 Zhang, Yi 材料科學與工程學系
公開日期:	1994
URI:	http://140.113.39.130/cdrfb3/record/nctu/#NT832159015 http://hdl.handle.net/11536/59680
Appears in Collections:	Thesis