統計資料
總造訪次數
| 檢視 | |
|---|---|
| Freestanding high quality GaN substrate by associated GaN nanorods self-separated hydride vapor-phase epitaxy | 118 |
本月總瀏覽
| 六月 2025 | 七月 2025 | 八月 2025 | 九月 2025 | 十月 2025 | 十一月 2025 | 十二月 2025 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Freestanding high quality GaN substrate by associated GaN nanorods self-separated hydride vapor-phase epitaxy | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 0 | 0 |
檔案下載
| 檢視 | |
|---|---|
| 000268809400017.pdf | 32 |
國家瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| 中國 | 99 |
| 美國 | 11 |
| 南韓 | 6 |
| 巴西 | 1 |
| 台灣 | 1 |
縣市瀏覽排行
| 檢視 | |
|---|---|
| Shenzhen | 96 |
| Menlo Park | 7 |
| Hangyang | 3 |
| Chungnam | 2 |
| Edmond | 2 |
| Kensington | 2 |
| Zhengzhou | 2 |
| Jinan | 1 |