BESOI的新製程

标题:	BESOI的新制程 Innovative Process of BESOI
作者:	荆凤德 CHIN ALBERT 交通大学电子工程系
关键字:	高速元件;矽绝缘体;无线通讯;多处理单元;金氧半场效电晶体;High speed device;SOI;Wireless communication;Multi-processing-unit;MOSFET;BESOI
公开日期:	1999
官方说明文件#:	NSC88-2215-E009-032
URI:	http://hdl.handle.net/11536/94444 https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=444170&docId=80434
显示于类别：	Research Plans

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APA	荆., & CHIN A. (1999). BESOI的新制程. https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=444170&docId=80434.
Bibtex	@article{1999, title={BESOI的新制程}, author={荆凤德 and CHIN ALBERT}, journal={https://www.grb.gov.tw/search/planDetail?id=444170&docId=80434}, year={1999}, url={http://140.113.37.243/handle/11536/94444?locale=zh_CN&mode=simplelocale%3Dzh_TWlocale%3Dzh_CNlocale%3Dzh_TW}, }