標題: 非晶態氧化銦鎵鋅應用於銅導電橋式記憶體之特性研究
Study on a-InGaZnO-Based Copper Conductive-Bridging Random Access Memory
作者: 張惟喬
劉柏村
戴亞翔
Chang, Wei-Chiao
Liu, Po-Tsun
Tai, Ya-Hsiang
光電工程研究所
關鍵字: 銅導電橋式記憶體;非晶態氧化銦鎵鋅;金屬氧化還原機制;像素內嵌式記憶體;CBRAM;ECM;IGZO;Memory-in-pixel
公開日期: 2017
URI: http://etd.lib.nctu.edu.tw/cdrfb3/record/nctu/#GT070450542
http://hdl.handle.net/11536/142558
顯示於類別:畢業論文